SIC碳化硅MOS的特性是怎样的

大家好，小科来为大家解答以上问题。SIC碳化硅MOS的特性是怎样的这个很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

1、SIC MOSFET是新兴的第三代半导体材料，是一种宽带隙半导体(带隙大于> 2eV，而SI的带隙仅为1.12eV)。由于其宽带隙、高临界击穿电场、高热导率和高载流子饱和漂移速度，适合于高温、高频和大功率应用。

2、MOSFET对栅极驱动器(驱动光耦、电容耦合器、磁耦合器等)的设计要求是什么？)?

3、1.要求驱动器具有更高的峰值栅极输出电流和更高的dv/dt容差。

4、2.要求驱动器的传播延迟非常低，抖动非常小，以便在高开关频率下有效地传输非常短的脉冲。

5、3.驱动器需要有双输出端口。

6、4.支持高开关频率(开关频率至少支持400KHz)

7、5.支持高安全隔离电压。

8、6.3-5V的负压关闭，需要18V-20V才能开启。

9、根据以上要求，硅LabsSi827x电容隔离驱动芯片很容易满足设计要求。

10、高达4A峰值驱动电流，宽温度范围-40~125度，AEC-Q100认证。

11、业界最高的抗扰度(200kV/s)和闩锁抗扰度(400kV/s)支持超快速开关。

12、最大传输延迟60ns，非常低的抖动200ps p-p，这里需要说明一下，传输延迟的影响因素与二次电源电压VDDA/VDDB、负载电容以及容性隔离驱动芯片本身的工作温度有关。

13、与IGBT不同，SiC‐MOSFET没有导通电压，因此可以在从小电流到大电流的宽电流范围内实现低导通损耗。

14、另一方面，Si‐MOSFET在150时的导通电阻是室温下的两倍多。与Si‐MOSFET不同，SiC‐MOSFET的导通电阻易于热设计，并且在高温下较低。

15、碳化硅电力电子器件的主要优点是开关频率高、传导损耗低、效率更高和热管理系统更简单。

16、与硅基转换器相比，SiC电源系统具有这些优势，因此可以在要求高功率密度的应用中优化性能，如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、不间断电源(UPS)和电动汽车。

17、但是，由于高电压转换率(dv/dt)和高电流转换率(di/dt)是SiC功率器件的固有特性，这些电路对串扰、误导、寄生谐振和电磁干扰(EMI)比硅基电路更敏感。

18、支票。

本文到此结束，希望对大家有所帮助。