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一种为二维器件生产有图案过渡金属双胞脲层的技术

韩国蔚山国家科学技术研究院(UNIST)的研究人员最近介绍了一种方法，用于生产薄而有图案的过渡金属双胞脲薄膜，并将其集成到二维金属半导体中。他们的合成技术，发表在《自然电子》杂志上的一篇论文中，可以缓解现有的基于2d材料的电子产品的高接触电阻所带来的挑战。石墨烯是一种非常适合发展电子学的材料，自从石墨烯被发现以来，其他具有类似特性的二维层状材料受到了广泛关注。这些材料包括过渡金属硫族化合物，

2020-05-07 16:09:24

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