三星开发了新的堆垛工艺forDRAM

2020-04-01 11:34:09 编辑：来源：

导读三星宣布，它已经开发了一个全D RAM叠加内存包使用“通过硅通”(T SV)技术，这据称导致内存包更快，更小，消耗更少的功率。通常，存储器芯片是通过电线键合连接的，这需要模具之间的垂直间隔。三星的WSP技术使用垂直在硅中制造的微米大小的孔直接用铜填充连接存储电路，消除了对间隙的需求。三星电子(SamsungElectronics)内存事业部互联技术开发团队副总裁钟泰京(Tae-Gyeong

三星宣布，它已经开发了一个全D RAM叠加内存包使用“通过硅通”(T SV)技术，这据称导致内存包更快，更小，消耗更少的功率。通常，存储器芯片是通过电线键合连接的，这需要模具之间的垂直间隔。三星的WSP技术使用垂直在硅中制造的微米大小的孔直接用铜填充连接存储电路，消除了对间隙的需求。

三星电子(SamsungElectronics)内存事业部互联技术开发团队副总裁钟泰京(Tae-Gyeong Chung)表示：“基于TSV的新型MCP（多芯片封装）叠加技术提供了下一代封装解决方案，将满足日益增长的对小型、高速、高密度存储器的需求。 “此外，我们的WSP技术所取得的性能进步可用于许多不同的半导体封装组合，例如逻辑与内存相结合的封装系统解决方案。”三星的WSP技术不仅是为了减少封装的整体尺寸，而且还允许芯片更快地运行和使用更少的功率。虽然所有这些听起来都很有趣，但新闻稿暗示，这项技术是为2010年及以后的下一代计算系统设计的。

标签：三星