美光推出 1β DRAM 工艺节点与LPDDR5X-8500 内存

2022-11-02 14:47:49 编辑：金梵美来源：

导读美光周二宣布了其用于 DRAM 的下一代 1β (1-beta) 制造技术(在新标签中打开)(动态随机存取存储器)。新节点将使美光能够降低其 D

美光周二宣布了其用于 DRAM 的下一代 1β (1-beta) 制造技术

(在新标签中打开)(动态随机存取存储器)。新节点将使美光能够降低其 DRAM 的成本，同时提高其电源效率和性能。1β (1-beta) 将是该公司最后一个依赖深紫外 (DUV) 光刻且不使用极紫外 (EUV) 工具的 DRAM 生产工艺。

美光的 1β 制造工艺使用该公司的第二代高 K 金属栅极 (HKMG)，与制造的类似 DRAM 器件相比，据称可将 16Gb 内存裸片的位密度提高 35%，并将电源效率提高 15%在公司的 1α 节点上。新的制造技术将特别适用于移动、服务器和桌面应用的大容量 DDR5 和 LPDDR5X 芯片。

与三星和 SK 海力士的竞争对手不同，美光目前不使用 EUV 工具，因此必须依靠各种多图案技术来不断缩小 DRAM 单元。

“我们推动了所有领域的创新，包括尖端的图案倍增技术，”美光 DRAM 工艺集成副总裁 Thy Tran 说。“1β 还配备了新工艺、材料和先进设备来推进我们的存储单元集成，以便我们可以缩小存储单元阵列。[...] 为了最大限度地利用所有技术优势和我们的设计创新，我们还积极扩展内存单元的高度与尺寸和裸片中的其余电路有关，以节省空间并为给定密度带来尽可能小的裸片，同时优化功率和性能改进。

美光将使用其领先节点制造的第一款产品将是 16Gb LPDDR5X-8500 内存，但最终该公司将开始将该节点用于其他产品。据说 16Gb LPDDR5X 芯片提供增强的动态电压和频率缩放扩展内核 (eDVFSC) 电压控制技术以节省功耗。

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