三星率先采用 GAA 节点

2022-10-12 14:40:38 编辑：杜仪旭来源：

导读当三星今年早些时候宣布已开始使用其 3GAE(3nm 级，早期全栅极)工艺技术开始批量生产芯片时，它从未透露它在其领先节点上制造了什么样的...

当三星今年早些时候宣布已开始使用其 3GAE(3nm 级，早期全栅极)工艺技术开始批量生产芯片时，它从未透露它在其领先节点上制造了什么样的组件。看起来，三星使用 3GAE 制造用于加密货币挖掘的专用集成电路 (ASIC)。

三星3GAE 制造技术是业界首个依靠环栅 (GAA) 晶体管的工艺，三星称之为 MBCFET(多桥通道场效应晶体管)。GAA 晶体管架构减少了漏电流，因为栅极现在被所有四个侧面的沟道包围;它还可以通过调整通道的通道厚度来改变晶体管性能和功耗。GAAFET 对高性能和移动应用程序特别有利，这就是英特尔和台积电等公司努力在 2024 年至 2025 年使用它们的原因。

但根据TrendForce的说法，第一个使用 GAAFET 的商业芯片似乎是一种加密货币挖掘 ASIC。TrendForce 的分析师认为，该公司仅在明年才会使用 3GAE 制造工艺生产移动片上系统。

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