2016-2022 All Rights Reserved.平安财经网.复制必究 联系QQ 备案号:
本站除标明“本站原创”外所有信息均转载自互联网 版权归原作者所有。
三星公开了其下一代 DRAM 和内存解决方案的计划,包括 GDDR7、DDR5、LPDDR5X 和 V-NAND。
三星详细介绍下一代 36 Gbps GDDR7、32 Gb DDR5、8.5 Gbps LPDDR5X 和 1000+ 层 V-NAND DRAM 和内存解决方案
三星宣布的三种主要 DRAM 和内存解决方案包括其 32Gb DRAM 密度,与现有的 16Gb 相比,现有 16Gb 的容量增加了 33%,而24Gb DDR5 IC已经开发了一段时间。
该公司还宣布了其首个 GDDR7 内存规格,该规格将提供高达 36 Gbps 的传输速率。与上个季度投入生产的三星当前最快的 24 Gbps GDDR6 内存解决方案相比,速度提高了 50%。AMD 的下一代 RDNA 3 GPU预计将率先采用全新的 GDDR6 模块,但 GDDR7 必须等待一两代才能看到它的实际应用。
跨 384 位总线的 36 Gbps DRAM 接口应提供高达 1.7 TB/s 的带宽,而具有相同速度的 256 位总线接口将提供高达 1.15 TB/s 的带宽。与美光当前的 GDDR6X 解决方案相比,两者的带宽数据都要高得多。
新闻稿:先进半导体技术的全球领导者三星电子今天在 2022 年三星技术日展示了一系列旨在推动未来十年数字化转型的尖端半导体解决方案。自 2017 年以来的年度会议,该活动回到了- 三年后在圣何塞希尔顿西嘉酒店入住的人。
2016-2022 All Rights Reserved.平安财经网.复制必究 联系QQ 备案号:
本站除标明“本站原创”外所有信息均转载自互联网 版权归原作者所有。