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根据上述报道,三星计划在2023年下半年大规模生产面向AI应用的高带宽存储芯片,目标是追赶在AI存储芯片市场占据领先地位的SK海力士。当前,SK海力士在HBM市场占有约50%的份额,而三星占有约40%的份额,美光占有剩余的10%。尽管HBM市场整体规模相对较小,但随着AI市场的增长,对HBM解决方案的需求预计将增加。
面向AI的存储芯片正在逐渐普及,高带宽存储解决方案也越来越受到关注。为了满足市场需求,三星计划加快追赶SK海力士的步伐,并大规模生产HBM3芯片。这将有助于三星在AI存储芯片领域取得更大的市场份额。
此外,三星还赢得了AMD和谷歌作为其客户,计划在其第三代4纳米工艺节点上制造谷歌的Tensor 3芯片。而传闻中的Exynos 2400 SoC芯片也有可能是在4纳米工艺上制造。这些举措表明,三星正致力于提升自己的技术实力和竞争力,在高带宽存储芯片领域取得突破。
综上所述,三星计划大规模生产面向AI应用的高带宽存储芯片,以追赶SK海力士在市场上的领先地位。随着AI市场的增长和对HBM解决方案的需求增加,三星的举措有望帮助其在存储芯片领域取得更大的成功。同时,与AMD和谷歌的合作以及在先进工艺节点上的制造也将提升三星的技术实力。
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