突破摩尔定律极限在芯片之上盖楼房 NBD对话科研团队

2023-05-11 14:23:13 编辑：向飞利来源：

导读 AI行业中在GPT爆火之后出现了爆发式增长，这其中也有着巨大的算力需求，芯片的研发也由此不断的推动，目前在先进芯片的制程方面几乎已经接

AI行业中在GPT爆火之后出现了爆发式增长，这其中也有着巨大的算力需求，芯片的研发也由此不断的推动，目前在先进芯片的制程方面几乎已经接近了极限，如何进一步将晶体管密度不断的提高，也成为了在半导体行业作出研发极为核心的一项议题。

麻省理工大学的科研团队研发硅基晶圆上生长二维材料晶体管这一技术，使得在未来很可能将晶体管能够实现多层的堆叠，这一次的研究成果也非常适合新型的材料以及传统硅基电路之间快速有效融合起来，柔性的二维材料能够整合在多个表面之上，未来很可能在衣服上也能够整合芯片。

芯片在研发的历史上整个过程都较为遵守摩尔定律，每18个月到两年时间在芯片研发的性能上都会达到翻一倍的效果，这意味着晶体管密度会越来越高，先进制成的量产芯片已成功进入到了3纳米这一范围当中，未来会继续向1纳米这一个规格进军。

但依1纳米的制成也通常被认为根据摩尔定律情况下增长的极限情况，因此芯片研究性也对于超薄的二维材料在不断的探索，从而去制造晶体管利用能够不断叠加的这一方式将晶体管的密度再次做出新的突破。

此前科学家也曾经尝试过将二维材料生长到晶圆体上，但是利用有机金属化学气相沉积法，过程所需要的温度要达到600摄氏度，但一到达400摄氏度时，电路以及硅晶体管就会有损坏的现象，高温所造成的破坏一直也是研究方面的一个障碍，如果在其他地方将二维材料合成之后，做出移植后又有性能损耗相关的问题。

标签：摩尔定律，芯片

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