三星开始大规模生产10纳米级DRAM

2019-12-24 17:21:51 编辑：来源：

导读三星宣布，三星已开始大规模生产10纳米级8千兆位(GB)双数据速率4(DDR 4)DRAM，并于2月份开始生产存储芯片。该公司没有透露确切的尺寸，但一位知情人士告诉ZDNet，它是18纳米级的，已经运往客户。该公司称，它的传输速率为每秒3200兆比特，并为企业客户进行了优化。三星是世界上最大的内存芯片制造商，是竞争对手SKHynix和Micron中第一个在10纳米级制造DRAM的公司。它说它

三星宣布，三星已开始大规模生产10纳米级8千兆位(GB)双数据速率4(DDR 4)DRAM，并于2月份开始生产存储芯片。

该公司没有透露确切的尺寸，但一位知情人士告诉ZDNet，它是18纳米级的，已经运往客户。

该公司称，它的传输速率为每秒3200兆比特，并为企业客户进行了优化。

三星是世界上最大的内存芯片制造商，是竞争对手SKHynix和Micron中第一个在10纳米级制造DRAM的公司。它说它使用了四元组模式技术，首先用于NAND闪烁，在DRAM上。

NAND闪光灯单元只需要一个晶体管，但DRAM需要在每个单元晶体管上安装一个电容，这要求两者都集成得更小。

三星表示，由于其非常大规模的集成技术，新的DRAM处理数据的速度比之前的20纳米级8GB DDR4DRAM快了30%，耗电量减少了20%。三星于2014年开始生产20纳米级DRAM。

该公司表示，该公司正在为PC和服务器生产这些设备，并将在今年晚些时候推出用于移动的DRAM。它自己的旗舰手机和其他那些定于今年秋天发布的客户都很有可能获得芯片。

该公司的目标可能是进一步缩小其DRAM的规模，在未来的10纳米级的早期和中期。

SKHynix和Micron正在开发自己的10纳米级DRAM，并可能在今年年底将其商业化。

据Stat is ta的数据，截至去年第四季度，该公司在DRAM中的市场份额为46.4%，其次是SK Hynix的27.9%和Micron的18.9%。

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