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将我们的尖端纳米SQUID与石墨烯的量子霍尔相中的扫描门测量相结合,我们能够分别测量和识别功和散热过程。测量结果表明,由于边缘重建,耗散受到在石墨烯边界处出现的反向传播的下游通道对和上游通道对之间串扰的控制。
但是,代替局部焦耳加热,耗散机制包括两个截然不同且在空间上分开的过程。我们直接成像的工作产生过程涉及量子通道之间的电荷载流子的弹性隧穿,它决定了传输性质,但不会产生局部热量。
相反,独立可视化的热量和熵产生过程是在石墨烯边缘的单个原子缺陷发生非弹性共振散射后非局部发生的(另请参见我们以前的工作),而不会影响传输。我们的发现为隐藏真正拓扑保护的机制提供了至关重要的见解,并为工程设计更健壮的量子态提供了场所,为设备应用提供了建议。以下是在4.2 K下在不同石墨烯器件上测量的扫描序列。
沿与视频1相同的样本的顶部边界在放大区域中的四探针电阻Rxx(r)的扫描门图像序列。Rxx(r)= Vxx(r)/ Idc记录为对于各种背栅电压Vbg,尖端位置r的函数。与视频1相比,这里注入的总功率更小。水平虚线表示样本的顶部边缘。
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